RA180 ハイファイローズプリメインアンプ HiFi ROSE

¥528000

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商品の説明

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【返品種別A】
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2023年03月発売

メーカー保証期間１年

◆Class AD (Advanced Digital) Ampl ifier
クラスDアンプは、理論的には0％の歪み率と100％の電力効率で完全なリニア出力を提供することができます。
この理論値に近づけるために、スイッチング動作には速い動作速度と高い精度が要求されます。
しかし、従来の製品はシリコンFETの限界でA級/AB級に比べてリニアリティが劣り、滑らかで自然な音を出すことができませんでした。
この問題を解決するために、シリコンFETの代わりに新素材のGaNFET( ガリウムナイトライド FET) を使用。
反応時間は従来の1/10以下と飛躍的に向上し、スイッチングの際の遅れがゼロに近づき、ほぼ完全にリニアな出力を実現。
この直線性はこれまでのクラスDアンプの限界を超えており、アナログアンプのようなスムースで自然な音を生み出します。

◆マルチ出力回路構成
安定した中低音域と低音域に特化したアンプモジュールと、滑らかな高音域とスーパーツイーター領域に特化したアンプモジュールの2つのモジュールで構成。
各アンプモジュールは200W(8Ω)で、チャンネルあたり最大400Wを出力できます。
2つの独立したモジュールをスピーカーの高域と低域に別々に接続してバイアンプ駆動すると、
ドライバーユニットからの逆起電力の影響を排除するとともに、駆動力が大幅に向上します。
BTLモードでは2つの独立したモジュールを結合させ400W×2chの大出力で骨太かつバランスの取れたサウンドを生み出します。

◆スーパーツイーター領域まで再生可能なワイドレンジ設計
ハイレゾ音源の再生に対応した広い周波数特性（10Hz～100kHz)を確保。
この帯域は人のの可聴範囲を超えていますが、原音が持つ音場の奥行きや広がりの忠実な再現に重要な役割を果たしています。

◆バランス電源
専用に開発された電源は、第4世代SiC FET（シリコンカーバイドFET）技術を駆使し、発熱が少なく高出力を実現。
また、自社開発のパワーファクター回路を採用することで、急激な負荷変動の影響を受けにくい設計になっています。
この電源部は、少なくとも200という強力なダンピングファクターを確保するように開発され、得られる800Wもの高出力はパワフルな低音と滑らかな高音を生み出します。

◆可変イコライザーPHONO回路搭載
カートリッジが拾った非常に微弱な音楽信号を、可能な限り原音そのままに増幅します。
MMとMCの切り替えはのリアパネルのスイッチで簡単に選択できます。
調整機能として、中低音域のTURN OVER切り替えと、高音域のROLL OFF切り替えを装備し、様々なレコード盤に対応可能。
それぞれのレコードメーカーの特性カーブに対応できるイコライザー回路の設定値は、誤差0.1％の高精度パーツを使用して精密に調整されています。
■　仕　様　■

定格出力：(4～8Ω)200Wx4ch(800）、BTL・400Wx2ch(800W)
入力端子：RCAx3、XLRx1、PhonoMM/MC(背面切替)
入力感度：RCA(1000mV) 、XLR(2000mV)、PhonoMM(5mV)/MC(0.5mV)
入力インピーダンス：RCA(47KΩ)、XLR(44KΩ()、PhonoMM/MC(47KΩ)
出力端子：サブウーファープリアウトx1
周波数特性：（1W、1dB/8Ω）スピーカー出力(10Hz～100KHz)
全高調波歪率：0.006(50W)
ダンピングファクター：150以上
SN比：RCA(105dB)、XLR(108dB)、Phono(MM80dB）(MC60dB)
サブソニックフィルター：-3dB(50Hz)
トーンコントロール： Bass(100Hz)/Treble(10kHz)15dB
クロスオーバー： HPF(-3dB) 600Hz～6KHz
フォノ：
　・【ターンオーバー】 Flat/300Hz((+7.7dB/100Hz)、400Hz(+11.7dB/100Hz)、500Hz(+13dB/100Hz)、700Hz(+14.5dB/100Hz)
　・【ロールオフ】Flat/1.6KHz(16dB/10KHz)、2.1KHz(13.7dB/10kHz)、3.18KHz(11dB/10KHz、3.4KHz(8dB/10kHz)、6.36KHz(5dB/10KHz)
ボディ素材：高純度アルミニウム
付属品：リモコン、電源ケーブル(ディップフォーミング無酸素銅線/TR PS2)
消費電力：800W
外形寸法：(W)430x(H)110x(D)350mm
質量：16.7Kkg